GaN氮化鎵（GaN）晶體基片

GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。

訪問次數：861    產品價格：面議    廠商性質：生產廠家    更新日期：2021-11-15

（MgAl2O4）進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

訪問次數：539    產品價格：面議    廠商性質：生產廠家    更新日期：2021-11-15

（MgAl2O4）鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

訪問次數：647    產品價格：面議    廠商性質：生產廠家    更新日期：2021-11-15

（MgAl2O4）鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片

鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難以生長，經過幾年的努力，目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

訪問次數：1259    產品價格：面議    廠商性質：生產廠家    更新日期：2021-11-15

AL2O3晶棒

AL2O3晶棒

訪問次數：618    產品價格：面議    廠商性質：生產廠家    更新日期：2021-11-15