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            首頁 > 產品中心 > 薄膜制備全套設備 > 射頻等離子磁控濺射鍍膜儀 > VTC-5RFI薄膜研究5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

            5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

            簡要描述:VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態電解質材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

            • 產品型號:VTC-5RFI薄膜研究
            • 廠商性質:生產廠家
            • 更新時間:2021-11-15
            • 訪  問  量:1360
            詳細介紹

             VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態電解質材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

             

            技術參數

            概念

            • 5個濺射頭安裝5種不同材料
            • 通過不同的濺射時間,5種材料可以濺射出不同組分的產物,
            • 選擇5個等離子射頻電源,可在同一時間濺射5種材料
            • 真空腔體中安裝有旋轉樣品臺,可以制作16個樣品

            電源

            單相220 VAC, 50 / 60 Hz

            射頻電源

            • 一個13.5MHz,300W自動匹配的射頻電源安裝在儀器上,并與靶頭相連接
            • 一個旋轉開關可一次激活一個濺射頭。濺射頭可以在真空或等離子體環境中自動切換
            • 可選購多個射頻電源,同一時間濺射多個靶材。
            • 所有的濺射參數,都可由電腦設置

            直流電源(可選)

            • 可選購直流電源,來濺射金屬靶材
            • 可配置5個直流或射頻電源,來同時濺射5中靶材

            磁控濺射頭

             

            • 5個1英寸的磁控濺射頭,帶有水冷夾層
            • 可在本公司額外購買射頻線
            • 電動擋板安裝在濺射腔體內
            • 設備中配有一循環水冷機,水流量為10L/min
            •  (1)  (2) (3) (4)

            濺射靶材


            • 所要求靶材尺寸:直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
            • 濺射距離: 50 – 80 mm(可調)
            • 濺射角度: 0 – 25°(可調)
            • 配有銅靶和 Al2O3 靶,用于樣品測試用
            • 可在本公司購買各種靶材
            • 實驗時,需要將靶材和銅片粘合,可通過導電銀漿粘合(可在本公司購買導電銀漿)

            真空腔體

             

            • 真空腔體采用304不銹鋼制作
            • 腔體內部尺寸:  470mm L×445mm D×522mm H  (~ 105 L)
            • 鉸鏈式腔門,直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃窗口
            • 真空度: 4E-5 torr (采用分子泵)

            樣品臺

            • 直徑為150mm的樣品臺,上面覆蓋一旋轉臺,帶有10mm的孔洞,每次露出一個樣品接收濺射成膜。
            • 樣品臺尺寸:Φ150mm,可通過程序控制來旋轉,可制作16種不同組分的薄膜
            • 樣品臺可以加熱,zui高溫度可達600℃

            真空泵

            • 設備中配有一小型渦旋分子泵
            • 真空泵接口為KF40

            石英振蕩測厚儀(可選)

            可選購精密石英振蕩測厚儀,安裝在真空腔體內,實時測量薄膜的厚度,精確度為0.1 Å(需水冷)

            凈重

            60kg

            質量認證

            CE認證

            質保

            一年質保期,終生維護

            應用注意事項

            • 此款設備設置主要是在單晶基片上制作氧化物薄膜,所以不需要高真空的環境
            • 所用氣瓶上必須安裝減壓閥(可在本公司購買),所用Ar氣純度為5N
            • 為了得到較好質量的薄膜,可以對基片進行清洗
            • 用超聲波清洗機,用丙酮或乙醇作為清洗介質,清除基片表面的油脂,然后在N2氣或真空環境下對基片干燥
            • 等離子清洗機,可使基片表面粗糙化,改變基片表面化學活性,清除表面污染物
            • 可在基片表面鍍上緩沖層,如Cr, Ti, Mo, Ta,,可改善金屬或合金膜的粘附性
            • 濺射一些非導電靶材,其靶材背后必須附上銅墊片
            • 本公司實驗室成功地在Al2O3基片上成功生長出ZnO外延膜
            • 因為濺射頭連接著高電壓,所以用戶在放入樣品或更換靶材時,必須切斷電源
            • 不可用自來水作為冷卻水,以防水垢堵塞水管。應該用等離子水,或冷卻介質
            •   

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