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                  首頁 > 產品中心 > 薄膜制備全套設備 > 射頻等離子磁控濺射鍍膜儀 > VTC-5RFI薄膜研究5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

                  5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

                  簡要描述:VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態電解質材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

                  • 產品型號:VTC-5RFI薄膜研究
                  • 廠商性質:生產廠家
                  • 更新時間:2021-11-15
                  • 訪  問  量:1360
                  詳細介紹

                   VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態電解質材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

                   

                  技術參數

                  概念

                  • 5個濺射頭安裝5種不同材料
                  • 通過不同的濺射時間,5種材料可以濺射出不同組分的產物,
                  • 選擇5個等離子射頻電源,可在同一時間濺射5種材料
                  • 真空腔體中安裝有旋轉樣品臺,可以制作16個樣品

                  電源

                  單相220 VAC, 50 / 60 Hz

                  射頻電源

                  • 一個13.5MHz,300W自動匹配的射頻電源安裝在儀器上,并與靶頭相連接
                  • 一個旋轉開關可一次激活一個濺射頭。濺射頭可以在真空或等離子體環境中自動切換
                  • 可選購多個射頻電源,同一時間濺射多個靶材。
                  • 所有的濺射參數,都可由電腦設置

                  直流電源(可選)

                  • 可選購直流電源,來濺射金屬靶材
                  • 可配置5個直流或射頻電源,來同時濺射5中靶材

                  磁控濺射頭

                   

                  • 5個1英寸的磁控濺射頭,帶有水冷夾層
                  • 可在本公司額外購買射頻線
                  • 電動擋板安裝在濺射腔體內
                  • 設備中配有一循環水冷機,水流量為10L/min
                  •  (1)  (2) (3) (4)

                  濺射靶材


                  • 所要求靶材尺寸:直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
                  • 濺射距離: 50 – 80 mm(可調)
                  • 濺射角度: 0 – 25°(可調)
                  • 配有銅靶和 Al2O3 靶,用于樣品測試用
                  • 可在本公司購買各種靶材
                  • 實驗時,需要將靶材和銅片粘合,可通過導電銀漿粘合(可在本公司購買導電銀漿)

                  真空腔體

                   

                  • 真空腔體采用304不銹鋼制作
                  • 腔體內部尺寸:  470mm L×445mm D×522mm H  (~ 105 L)
                  • 鉸鏈式腔門,直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃窗口
                  • 真空度: 4E-5 torr (采用分子泵)

                  樣品臺

                  • 直徑為150mm的樣品臺,上面覆蓋一旋轉臺,帶有10mm的孔洞,每次露出一個樣品接收濺射成膜。
                  • 樣品臺尺寸:Φ150mm,可通過程序控制來旋轉,可制作16種不同組分的薄膜
                  • 樣品臺可以加熱,zui高溫度可達600℃

                  真空泵

                  • 設備中配有一小型渦旋分子泵
                  • 真空泵接口為KF40

                  石英振蕩測厚儀(可選)

                  可選購精密石英振蕩測厚儀,安裝在真空腔體內,實時測量薄膜的厚度,精確度為0.1 Å(需水冷)

                  凈重

                  60kg

                  質量認證

                  CE認證

                  質保

                  一年質保期,終生維護

                  應用注意事項

                  • 此款設備設置主要是在單晶基片上制作氧化物薄膜,所以不需要高真空的環境
                  • 所用氣瓶上必須安裝減壓閥(可在本公司購買),所用Ar氣純度為5N
                  • 為了得到較好質量的薄膜,可以對基片進行清洗
                  • 用超聲波清洗機,用丙酮或乙醇作為清洗介質,清除基片表面的油脂,然后在N2氣或真空環境下對基片干燥
                  • 等離子清洗機,可使基片表面粗糙化,改變基片表面化學活性,清除表面污染物
                  • 可在基片表面鍍上緩沖層,如Cr, Ti, Mo, Ta,,可改善金屬或合金膜的粘附性
                  • 濺射一些非導電靶材,其靶材背后必須附上銅墊片
                  • 本公司實驗室成功地在Al2O3基片上成功生長出ZnO外延膜
                  • 因為濺射頭連接著高電壓,所以用戶在放入樣品或更換靶材時,必須切斷電源
                  • 不可用自來水作為冷卻水,以防水垢堵塞水管。應該用等離子水,或冷卻介質
                  •   

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