OTF-1200X-PLD多靶激光濺射混合霧化沉積管式爐

OTF-1200X-PLD是一款多靶激光濺射混合霧化沉積管式爐，此款設備主要包括混氣裝置，加熱爐，基片加熱腔體、靶材濺射腔體和氣壓控制系統組成?？膳c準分子激光器配合，進行脈沖激光蒸發鍍膜，而且靶材濺射腔體內可安裝3塊靶材，可依次對3中不同靶材進行激光脈沖蒸發。此款設備特別適合制作多元化合物薄膜。

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OTF-1200X-80-II雙溫區管式爐

雙溫區管式爐系列是通過CE認證的，其Z高溫度可達到1200℃，并可通過調節兩個溫區的控溫程序使爐管內溫場形成一溫度梯度。兩個溫區分別由兩個獨立的溫控系統來控制，而且都為PID30段程序化控溫。此系列管式爐 可以用CVD方法來生長納米材料和制備各種薄膜.

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GSL-1400X小型真空管式爐

小型真空管式爐是一款通過CE認證的小型高溫管式爐，其爐管采用的是高純氧化鋁剛玉管，加熱元件為硅碳棒。儀器本身帶有兩個真密封法蘭（法蘭上已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥）?？刂葡到y采用高精度可控硅移相觸發控制，其控溫精度為+/-1°C，控溫方式采用30段程序設置，Z高溫度可達到1400℃。

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1100℃小型高溫高壓管式爐--OTF-1200X-HP-30A

OTF-1200X-HP-30A是一款小型的高溫高壓管式爐，其爐管法蘭上安裝有高壓電磁閥和壓力傳感器，所以當管內氣壓高于設定值時，電磁閥會自動打開排氣，使管內氣壓達到設定值。其爐管采用鎳基合金鋼管制作，其尺寸為30mm O.D x 12 mm I.D x 560 mm L。此款可在高壓氧環境或惰性氣體環境下對樣品進行熱處理，Z高溫度可達1100℃。所以特別是對于超導材料及介電材料的探索研究，

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雙溫區立式高溫高壓爐--OTF-1200X-VTHP

OTF-1200X-VTHPΦ60是一款雙溫區立式高溫高壓爐，爐管采用鎳基合金鋼管制作，具有較高的蠕變強度和抗氧化性。爐管可承受的Z高溫度為1100℃（在此溫度下可承受的壓力為5MPa).此款設備適合用水浴法制備材料，也特別適合在高壓氧環境下對樣品進行熱處理。法蘭上安裝有電磁閥，當爐管內壓力高于設定值時，電磁發自動打開排出氣體減小管內氣壓。

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24金剛石線切割機--STX-2401

STX-2401全自動金剛石線切割機不僅可用于陶瓷、玻璃、巖樣、PCB板、隕石、海洋結核、耐火材料、生物及仿生復合材料等的常規切割，也可以用于硅、白寶石、藍寶石等人工晶體的籽晶切割，以及硅晶體、藍寶石晶體的開方切割。用在貴重寶石、生物塑化標本的切片時，不僅切縫細小，而且切割片質量優良，大幅度提高了材料的利用率。

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1200℃雙溫立式爐-OTF-1200X-4-VT-II

OTF-1200X-4-VT-II是通過CE認證的雙溫區立式管式爐，其爐管直徑可制作為100mm,適合于對樣品在真空或氣氛保護環境下進行吊燒和淬火。爐體下端安裝有一移動架以方便與移動。采用PID方式進行溫度調節，可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/- 1 ℃.

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顆粒懸浮立式管式爐--OTF-1200X-S-FB

OTF-1200X-S-FB是一款流化床立式管式爐，專門針對粉末表面沉積的CVD實驗，爐管為高純石英管，爐管內部嵌有一多孔石英板，石英板的孔徑為5-15um.粉末可放在多孔石英板上，氣體可從爐管下端通入，通過多孔石英板使樣品顆粒懸浮在加熱區域，進行沉積實驗。

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4英寸真空立式淬火爐--OTF-1200X-4-VTQ

OTF-1200X-4-VTQ是立式可開啟真空管式淬火爐，石英管直徑100mm，配有一個密封的液體容器用于樣品淬火，溫度從Z高1200度到冰水或油，可用于研究材料相轉變和微結構性能。

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小型超高溫2000°C管式爐-GSL-2000X-25

GSL-2000X-25是一款小型的高溫管式爐，其腔體內部加熱區域為25mmI.Dx150mm,溫度可以達到1900℃,加熱元件采用特殊的鎢絲加熱，.此款設備特別適合于新一代熒光材料（紅粉）和陶瓷材料的探索。

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1600℃雙溫區回轉爐--GSL-1600X-R60-II

GSL-1600X-R60-II是一款高溫雙溫區回轉爐。此款設備專門設計對粉體在高溫狀態下，進行均勻的燒結。

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1200℃單溫區可傾斜旋轉爐--OTF-1200X-4-R

OTF-1200X-4-R 是一款單溫區旋轉管式爐，為煅燒無機化合物獲得較好的*性而設計。特別對鋰離子電池負極材料的制備效果極好，可提高導電性?；蛘邞迷诜垠w材料上涂層，如LiFePO4, LiMnNiO4等材料的研究和開發實驗室。

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1200°C迷你型快速加熱冷卻爐

OTF-1200X-50-SL是一款CE認證的可滑動管式爐，配置外徑50x 1000mm石英管，工作溫度Z高達1200°C。爐底安裝一對滑軌，可滑動。加熱和冷卻速率Z大可達100°C/m。為取得Z快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得Z快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到15°C/s，是低成本快速熱處理的理想

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小型1000℃RTP爐

OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4" 石英管和真空法蘭， 它是專為半導體或太陽能電池基片（Z大達3“）的退火而設計，采用10KW紅外燈管加熱Z快升溫速度為 50°C/秒. 30 段溫度控制，精度為 +/-1°C. 計算機通過RS485口和控制軟件實時控制爐子和顯示溫度曲線 。

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5英寸近距離蒸發鍍膜爐（CSS）OTF-1200X-RTP-II-5

OTF-1200X-RTP-II-5是一款快速熱處理爐，其爐腔體是一直徑為11英寸的石英管。此款設備專門實際針對于熱蒸發或CSS（Close Spaced Sublimation）鍍膜實驗，其鍍膜面積可達到5"x5"。此款高溫爐的加熱元件是兩組紅外燈管（分別位于頂部和底部），Z大升溫速率為20oC/s 。采用PID方式進行溫度調節，可設置30段升降溫程序。儀器面板上安裝有RS485接口，

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